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荷兰光刻机中的中国技术 荷兰光刻机的技术属于中国吗

生活经验知识分享

如果有就好了，我国的高端芯片生产制造也不会受制于人 。
所以说，在ASML生产的光刻机中，并没有我国制造的核心部件 。
毕竟国内制程工艺最先进的光刻机，依然停留在90纳米 。
这与ASML生产的极紫外EUV光刻机的制程工艺，差距还是相当大的，估计有个16年的差距 。
虽说极紫外EUV光刻机是由ASML生产的，但是很多部件都是由多个国家提供的 。
单凭ASML自身，也无法制造出极紫外EUV光刻机所需要的所有部件 。
比如说，ASML的极紫外光刻机的镜头来自德国的蔡司，光源来自美国的Cymer（已经被ASML收购） 。
也就是说，单凭一国之力，基本上是拿不下极紫外EUV光刻机的 。
光刻机的三大核心部件
第一:光源ASML生产的极紫外EUV光刻机，采用了Cymer公司研发的波长为13.5纳米，功率为250W的激光等离子体(LPP)光源 。
该光源的有两大特点:
第一，250瓦的高功率 。
为何极紫外EUV光刻机对光源的功率要求那么高呢？
主要就是因为EUV光刻机使用的是反射式物镜系统，只有光源的功率足够高 。
在经过十多个反射镜的反射吸收之后，剩下的功率才能够满足光刻的要求 。
此外，光刻机光源的功率越高，芯片刻录速度也就越快 。
第二，13.5纳米的较短极紫外波 。
众所周知，光刻机所用的光源的波长与最小制程工艺息息相关 。
由于芯片的制程工艺和光刻机的曝光分辨率有着密切的关系 。
而光刻机的曝光分辨率又和光源的波长息息相关，当然光源的波长越短，曝光分辨率也就越高，制程工艺也就越小 。光源的波长越长，曝光分辨率越低，芯片制程工艺也就越大 。
第二:物镜组极紫外EUV光刻机使用后的是反射镜，而当反射镜的表面不光滑时 。
入射到镜面的光源就会被反射到各个方向，从而令光源比较分散，也就减小了光源的功率 。
为了使光源被反射后，还具备较高的聚合性和较大的功率，所以就对反射镜的粗糙度有较高的要求 。
ASML的极紫外EUV光刻机，使用的是德国蔡司公司研发的反射镜 。
这些反射镜的表面镀了近百层由钼和硅制成薄膜，而薄膜的粗糙度控制在0.05纳米，比芯片的制程功率还要小两个量级，制造难度还是相当大的 。
第三:双工件台双工件台的作用就是承载着晶圆，主要是将光刻前的准备工作，和正在进行的光刻分隔开来 。
即，一个工件台上的晶圆在做曝光时，另一个工件台对晶圆做测量等曝光前的准备工作 。当第一个工件台的曝光工作完成之后，两个工件台交换位置和职能 。
这样一来，就可以提高光刻机的生产速度，使用双工件台的光刻机，每小时可以处理200片晶圆 。相对于使用单工件台的光刻机而言，生产效率提高了3倍 。
ASML研发的极紫外EUV光刻机所用的就是，其自己研发的Twinscan系列双工件台，该双工件台的运动精度误差控制在1.8纳米 。
综上所述，ASML生产的极紫外EUV光刻机三大核心部件的研发难度是相当大的 。
就从全球来看，也只有区区一两个企业可以拿得出来 。
而除了以上三大核心部件外，还有掩膜台，掩膜板，光刻胶，操作系统等也比较重要 。可见光刻机的研发生产，真的是一件难度比较大的事情，基本上可以成为当今世界上难度最大，复杂度最高的综合系统 。
我国光刻机的三大部件
光源目前来看，我国已经制造出来了第三代光源，也就是波长为248纳米，重复频率为4000hz，功率为40瓦的氟化氪激光器 。该光源主要是用于步进投影式DUV光刻机，也就自然无法用于极紫外EUV光刻机 。
透镜组而对于国内的物镜系统是知之甚少，既然有了步进式DUV光刻机，那么透镜系统也是已经制造出来的 。
不过，这只是透镜而不是反射镜，也无法用于极紫外EUV光刻机 。
双工件台双工件台也有现成的，那就是自主研发的DWS系列 。该双工件台的平均运动偏差为4.5纳米，标准运动偏差为7纳米，最大速度为1.1米/秒，最大加速速度为2.4g 。
正在研发DWSI系列，同样采用了磁悬浮平面电机驱动，不过换成了平面光栅干涉位移测量技术 。
在以上技术的加成下，使得其平均运动偏差为2.5纳米，标准运动偏差为5纳米，最大速度为1.5米/秒，最大加速速度为3.2g 。
可见，即便是正在研发的双工件台的运动精度，也不如极紫外EUV光刻机的 。
既然国内的核心部件的性能，达不到极紫外EUV光刻机的要求 。
那么，在ASML生产的极紫外EUV光刻机的部件中，也就没有我国的产品 。
【荷兰光刻机中的中国技术 荷兰光刻机的技术属于中国吗】综合来看，在现代科技越来越离不开芯片时，而能够生产芯片的光刻机的重要性有多大是可想而知的 。

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