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vmos场效应管 是什么 vmos场效应管 是什么

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1、VMOS管导通问题   栅极电压是相对于源极的电压如果源极电压和漏极电压对调，栅极相对于源极的电压要保证它的原来的电压，那肯定是场效应管是可以导通的 。亮点在的产品说明中都是有的 。但是导通电阻要稍大一点 。这里你要注意，这里栅极对地的电压是等于源极电压 加上栅源电压 。你好！ 栅极电压是相对于源极的电压如果源极电压和漏极电压对调，栅极相对于源极的电压要保证它的原来的电压，那肯定是场效应管是可以导通的 。亮点在的产品说明中都是有的 。但是导通电阻要稍大一点 。这里你要注意，这里栅极对地的电压是等于源极电压 加上栅源电压 。我的回答你还满意吗~~ MOS场效应管的检测方法： （1）判定栅极G 将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻 。若发现某脚与其它两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为G极，因为它和另外两个管脚是绝缘的 。（2）判定源极S、漏极D 在源漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极 。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极 。（3）测量漏源通态电阻RDS（on） 将GS极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧 。由于测试条件不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些 。例如用型MOS管，RDS（on）=，（典型值） 。（4）检查跨导 将万用表置于R×1k（或R×）档，红表笔接S极，黑表笔接D极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高 。注意事项： （1）MOS管亦分N沟道管与P沟道管，但绝大多数产品属于N沟道管 。对于P沟道管，测量时应交换表笔的位置 。（项不再适用 。（型模块，内部有N沟道、P沟道管各三只，构成三相桥式结构 。（W，共源小信低频跨导gm=μS 。适用于高速开关电路和广播、通信设备中 。（（mm）的散热器后，最大功率才能达到W 。

2、场效应管的工作原理是什么？   场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID” 。1、场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管 。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管 。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（～Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者 。2、场效应管分结型、绝缘栅型两大类 。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名 。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属氧化物半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和MOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、MOS功率模块等 。3、按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种 。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型 。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的 。场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极源极间流经沟道的id，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制id” 。更正确地说，id流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故 。在vgs=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极源极间所加vds的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流id流动 。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，id饱和 。将这种状态称为夹断 。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断 。在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动 。但是此时漏极源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层 。因漂移电场的强度几乎不变产生id的饱和现象 。其次，vgs向负的方向变化，让vgs=vgs(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态 。而且vds的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通 。场效应晶体管（field effect transistor缩写(fet)）简称场效应管 。主要有两种类型（junction fet—jfet)和金属 氧化物半导体场效应管（metaloxide semiconductor fet，简称mosfet） 。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管 。它属于电压控制型半导体器件 。具有输入电阻高（～ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者 。场效应管（fet）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名

3、三极管cm2n60f用什么型号代替   A，耐压值场效应管来替换 。这是现在常用的n沟道场效应管，id为替换 。

4、VMOS场效应管检测的方法【vmos场效应管 是什么 vmos场效应管 是什么】   传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上，其工作电流基本上是沿水平方向流动 。MOS管则不同，可以看出其两大结构特点:第一，金属栅极采用型槽结构；第二，具有垂直导电性 。由于漏极是从芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂N区（源极S）出发，经过P沟道流入轻掺杂N漂移区，最后垂直向下到达漏极D 。场效应管检测方法与经验 一、用指针式万用表对场效应管进行判别（）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ或Ｒ×档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极 。然后把万用表置于Ｒ×之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的 。要注意，若两个栅极在管内断极，可用件代换法进行检测 。（F 。先将管的Ｇ极开路，测得漏源电阻RDS为和第二栅极G、G的位置，从而就确定了Ｄ、S、G1、G2管脚的顺序 。

5、什么叫mos场效应管   : 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）. 特点: 具有输入电阻高（～Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者. 作用: . 场效应管可以用作电子开关. . : 场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类 按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种. 按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的 。场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型; : : Idss — . Up — . Ut — . gM — — 对漏极电流ID的控制能力, 是衡量场效应管放大能力的重要参数. BDS — . PDSM — 最大耗散功率,也是一项极限参数,. IDSM — : 判定栅极G:将万用表拨至R×1k档,用万用表的负极任意接一电极,另一只表笔依次去接触其余的两个极,;若两次测得的阻值都很小,则为P沟道. 判定源极S、漏极D: 在源漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极. 场效应管是电压控制件,;而在信电压较低,又允许从信源取较多电流的条件下,应选用晶体管. 场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之为双极型器件. 有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好. 场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用. 一、场效应管的结构原理及特性 场效应管有结型和绝缘栅两种结构，每种结构又有N沟道和P沟道两种导电沟道 。1、结型场效应管（JFET） （1）结构原理 它的结构及符见图1 。在N型硅棒两端引出漏极D和源极S两个电极，又在硅棒的两侧各做一个P区，形成两个PN结 。在P区引出电极并连接起来，称为栅极Go这样就构成了N型沟道的场效应管 图1、N沟道结构型场效应管的结构及符 由于PN结中的载流子已经耗尽，故PN基本上是不导电的，形成了所谓耗尽区，从图1中可见，当漏极电源电压ED一定时，如果栅极电压越负，PN结交界面所形成的耗尽区就越厚，则漏、源极之间导电的沟道越窄，漏极电流ID就愈小；反之，如果栅极电压没有那么负，则沟道变宽，ID变大，所以用栅极电压EG可以控制漏极电流ID的变化，就是说，场效应管是电压控制件 。（2）特性曲线 1）转移特性 图≥GS≥P的区段内，ID与GS的关系可近似表示为： ID=IDSS（1|GS/P|） 其跨导gm为：gm=（△ID/△GS）|DS=常（欧）| 式中：△ID漏极电流增量（安） △GS栅源电压增量（伏） 图2、结型场效应管特性曲线 2）漏极特性（输出特性） 图2(b)给出了场效应管的漏极特性曲线，它和晶体三极管的输出特性曲线 很相似 。①可变电阻区（图中I区）在I区里DS比较小，沟通电阻随栅压GS而改变，故称为可变电阻区 。当栅压一定时，沟通电阻为定值，ID随DS近似线性增大，当GS＜P时，漏源极间电阻很大（关断） 。IP=0；当GS=0时，漏源极间电阻很小（导通），ID=IDSS 。这一特性使场效应管具有开关作用 。②恒流区（区中II区）当漏极电压DS继续增大到DS＞|P|时，漏极电流，IP达到了饱和值后基本保持不变，这一区称为恒流区或饱和区，在这里，对于不同的GS漏极特性曲线近似平行线，即ID与GS成线性关系，故又称线性放大区 。③击穿区（图中Ⅲ区）如果DS继续增加，以至超过了PN结所能承受的电压而被击穿，漏极电流ID突然增大，若不加限制措施，管子就会烧坏 。2、绝缘栅场效应管 它是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属氧化物半导体场效应管，简称MOS场效应管 。（1）结构原理 它的结构、电极及符见图3所示，以一块P型薄硅片作为衬底，在它上面扩散两个高杂质的N型区，作为源极S和漏极D 。在硅片表覆盖一层绝缘物，然后再用金属铝引出一个电极G（栅极）由于栅极与其它电极绝缘，所以称为绝缘栅场面效应管 。图3、N沟道（耗尽型）绝缘栅场效应管结构及符 在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在GS=0时也有较大的漏极电流ID 。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化 。场效应管的式作方式有两种：当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗散型，当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型 。（2）特性曲线 1）转移特性（栅压漏流特性） 图4（a）给出了N沟道耗尽型绝缘栅场效应管的转移行性曲线，图中p为夹断电压（栅源截止电压）；IDSS为饱和漏电流 。图4（b）给出了N沟道增强型绝缘栅场效管的转移特性曲线，图中r为开启电压，当栅极电压超过T时，漏极电流才开始显著增加 。2）漏极特性（输出特性） 图5（a）给出了N沟道耗尽型绝缘栅场效应管的输出特性曲线 。图5(b)为N沟道增强型绝缘栅场效应管的输出特性曲线。图4、N沟道MOS场效管的转移特性曲线 图5、N沟道MOS场效应管的输出特性曲线 此外还有N衬底P沟道（见图1）的场效应管，亦分为耗尽型增强型两种， 各种场效应器件的分类，电压符和主要伏安特性（转移特性、输出特性） 二、场效应管的主要参数 1、夹断电压P 当DS为某一固定数值，使IDS等于某一小电流时，栅极上所加的偏压GS就是夹断电压P 。2、饱和漏电流IDSS 在源、栅极短路条件下，漏源间所加的电压大于P时的漏极电流称为IDSS 。3、击穿电压BDS 表示漏、源极间所能承受的最大电压，即漏极饱和电流开始上升进入击穿区时对应的DS 。4、直流输入电阻RGS 在一定的栅源电压下，栅、源之间的直流电阻，这一特性有以流过栅极的电流来表示，结型场效应管的RGS可达欧而绝缘栅场效应管的RGS可超过欧 。5、低频跨导gm 漏极电流的变量与引起这个变化的栅源电压数变量之比，称为跨导，即 gm= △ID/△GS 它是衡量场效应管栅源电压对漏极电流控制能力的一个参数，也是衡量放大作用的重要参数，此参灵敏常以栅源电压变化1伏时，漏极相应变化多少安（μA/）或毫安（mA/）来表示
6、SSP6N60A三极管是哪类管子，参数，可以与那些替换？谢谢   场效应管伏找参数等于或大于他的就可代换 其是MOS场效应管，Id=代替 。

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