【pn结反偏的特征】1、pn结正向存在一个导通电压 ， 反向存在一个击穿电压 ， 所加正向电压小于导通电压时pn结呈现很大的电阻 ， 即通过的电流很小 ， 一旦高于导通电压 ， 正向电流迅速增加；在反向时同样在所加反向电压小于击穿电压时 ， 反向电流很小 ， 当一旦高于击穿电压时 ， 反向电流即迅速增加 。
2、从pn结的电流电压关系图上可以清楚看出两者的图形变化“相似” ， 区别在于正向的导通电压很低 ， 硅半导体构成的pn结导通电压在0.7V左右 ， 锗管的约为0.4V；而反向击穿电压一般数值都高于导通电压 。
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