【蚀刻机和光刻机区别】蚀刻相对于光刻来说要容易一些 。光刻机把图案印上去 ， 然后蚀刻机根据印上去的图案蚀刻掉有图案（或者没有图案）的部分 ， 留下剩余的部分 。
“光刻”是指在涂满光刻胶的晶圆（或者叫硅片）上盖上事先做好的光刻板 ， 然后用紫外线隔着光刻板对晶圆进行一定时间的照射 。原理就是利用紫外线使部分光刻胶变质 ， 易于腐蚀 。
“蚀刻”是光刻后 ， 用腐蚀液将变质的那部分光刻胶腐蚀掉（正胶） ， 晶圆表面就显出半导体器件及其连接的图形 。然后用另一种腐蚀液对晶圆腐蚀 ， 形成半导体器件及其电路 。蚀刻分为两种 ， 一种是干刻 ， 一种是湿刻（目前主流） ， 顾名思义 ， 湿刻就是过程中有水加入 ， 将上面经过光刻的晶圆与特定的化学溶液反应 ， 去掉不需要的部分 ， 剩下的便是电路结构了 ， 干刻目前还没有实现商业量产 ， 其原理是通过等离子体代替化学溶液 ， 去除不需要的硅圆部分 。
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