台积电基于GAA-FET的2nm芯片将于2023年投入量产

2023-08-25 生活经验知识分享

据报道，台积电(TSMC)正式启动其2nm工艺节点的研发工作仅一年多后，预计其新技术将在2023年投入量产。据的一份报告称，该公司将放弃较老的Fin- FET工艺，并为其2nm节点使用GAA-FET 。台积电尚未在这方面正式宣布。但是，这可能只是时间问题。
根据先前的报道，台积电将在该公司位于新竹市南部科技园区的先进工厂大规模生产2nm芯片。但是，尽管较早的时间表表明生产可能在2024年开始，但最新的报告现在表明可能在2023年生产。
同时，据报道，台积电还完成了其3nm工艺(“ N3”)的设计工作。据预计进入试生产中的2021年上半年不同的是2nm的节点，该节点为3nm会使，因为它的成熟度，可靠性和成本效率的使用FinFET技术的。在性能和速度方面，TSMC声称在等功率情况下，N3的速度将比N5提供10-15%的速度提高，在等速度时的功率降低25-30% 。
据报道，该公司还在研究一种称为“ N4”的新型4nm架构，该架构可能会在2023年投入生产。这将是对其“增强型” 5nm工艺节点N5P的改进。同时，该公司仍预计其7nm节点将贡献今年的大部分收入。那么您对台积电的新技术感到兴奋吗?您期望它改善新芯片的性能和电源效率吗?在下面的评论中让我们知道。
【台积电基于GAA-FET的2nm芯片将于2023年投入量产】

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