MOSFET及沟道
MOSFET, metal-oxide-semiconductor field-effect transistor 的缩写，从字面意思去理解，金属-氧化物-半导体结构的场效应管 。结构如下图.
图中的尺寸L 就是特征尺寸栅长，也是沟道长度 。手机中提到的7nm制程工艺就是指这个尺寸 。
沟道为什么要缩短
集成度↑，功耗↓，速度↑，功能↑，价格/功能 ↓；
沟道缩短有什么影响
1.线性区阈值电压下降
2.漏至势垒降低
3.本体穿通
怎么抑制短沟道效应
1，沟道掺杂分布
表面处掺杂浓度低–保证低阈值电压；
表面下方掺杂浓度高–控制穿通效应；
2，栅叠层
1）金属栅
2）高K栅介质层
3，源漏设计-硅化物接触技术
【减小沟道效应的措施 短沟道效应解决办法】
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