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三星计划在2020年第二季度开始批量生产5nm芯片组

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【三星计划在2020年第二季度开始批量生产5nm芯片组】
当大多数智能手机芯片组使用7nm节点制造时 ， Unisoc最近推出了世界上第一个6nm芯片组 ， 该芯片组是由台积电使用极紫外光刻(EUVL)制造的 。但是 ， 其他公司并没有落后很多 。
三星是仅次于台积电的全球第二大芯片组制造商 ， 已经开始批量生产6nm和7nm EUV(极紫外)芯片组 。现在 ， 该公司宣布计划开始批量生产5nm芯片组 。
该公司还补充说 ， 它将继续投资于先进工艺以及GAA 3nm工艺 。三星V1工厂位于韩国华城 ， 是生产工厂之一 。这是一家拥有最先进技术的专业工厂 ， 能够生产小至3nm的芯片组 。
有报道称 ， 谷歌已经与三星合作开发了定制的Exynos芯片组 ， 该芯片组计划于今年发布 。预计5nm芯片组将具有八核CPU ， 该CPU由两个Cortex-A78内核 ， 两个Cortex-A76内核和四个Cortex-A55内核组成 。这些图形将由未发布的基于Borr微体系结构的Mali MP20 GPU来处理 。据说它还包括谷歌自己的Visual Core ISP和NPU ， 而不是三星的 。
几个月前 ， 据报道三星电子的半导体制造部门赢得了使用来制造新的高通 5G芯片的合同 。这是该公司旨在与台积电竞争的主要动力 。
为了在竞争者中领先 ， 三星计划从2021年开始批量生产3nm芯片组 ， 但似乎该公司现在被迫将这一新工艺的生产启动推迟到2022年 ， 主要是因为的爆发 。
据报道 ， 阻碍了三星公司为新生产线完成预定安装设备的能力 。三星公司的3nm工艺基于全能门(GAAFET)技术 ， 而不是FinFET 。据称 ， 它将总硅片尺寸减小了35% ， 而功耗却减少了约50% 。
与5nm FinFET工艺相比 ， 它还允许相同数量的功耗和33%的性能提升 。GAAFET设计与FinFET设计不同 ， 因为它是围绕通道的四个侧面具有栅极而构建的 ， 从而确保了减少的功率泄漏并改善了对通道的控制 。

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