【EUV将使用等离子和激光制造下一代芯片】微芯片无处不在 ， 很容易忽略它们的真正杰出之处 。像温控器或唱歌贺卡这样的普通物品 ， 包含数百万个微观结构 ， 这些微观结构是有史以来最杰出的制造工艺之一 。
自1977年左右以来 ， 当前的流程一直在发展 ， 其工作方式类似于投影仪 。激光通过掩膜发出的光 ， 就像芯片的设计图一样 ， 然后将掩膜投射到涂在硅板上的光敏化学品上 。结果几乎就像曝光照片一样：光将芯片的图像传输到硅上 ， 在硅上可以将其直接蚀刻到金属中 。这个过程称为光刻 ， 随着它变得越来越先进 ， 晶体管变得越来越小 ， 越来越快并且更加节能 。
制造芯片的特定机制已经非常复杂 ， 需要原子级的精度和某些有史以来最精确的制造工具 ， 但是当前的方法有其局限性 。这个过程已经使用了将近15年 ， 而且已经用尽了 。现在 ， 芯片上晶体管的部分尺寸约为7至10纳米 ， 远小于用于制造它们的193nm紫外线 。
如果我们要继续制造更好 ， 更快的芯片 ， 制造商需要重新设计工艺 ， 而新工艺是极紫外光刻或EUV 。多年来 ， 公司一直致力于开发芯片制造的下一步 ， 而我们刚刚看到第一批使用EUV制成的设备进入市场 。
要了解有关此过程的更多信息 ， 我去了英特尔的两家制造工厂 ， 他们正在开发EUV ， 亲自看一下机器 ， 并了解有关这种极端制造的更多信息 。
EUV仍是一项革命性的飞跃 ， 仍将芯片蓝图投射到硅上 ， 但是它使用波长极小的光来做到这一点 ， 这对于创建微小的特征更好 。
在这些微小的波长下 ， 几乎所有的东西都吸收紫外线 ， 而典型的激光无法产生紫外线 。该过程更加奇特 ， 涉及液态金属和高能等离子体 。技术挑战巨大 ， 但回报是我们设备速度和能源效率的飞跃 。
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